Транзистор КТ3102ГМ 10 шт.
КТ3102ГМ Транзисторы КТ3102ГМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные, малой мощности, высокой частоты. Предназначены для применения в низкочастотных устройствах с малым уровнем шумов, переключающих, усилительных и генераторных устройствах средней и высокой частоты. Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами. Транзисторы имеют два варианта маркировки: Вариант 1 - цифро-буквенным кодом на корпусе транзистора. Вариант 2 - зелёной меткой на боковой поверхности корпуса и на торце корпуса цветной маркировочной меткой: - КТ3102АМ - тёмно-красной, - КТ3102БМ - жёлтой, - КТ3102ВМ - тёмно-зелёной, - КТ3102ГМ - голубой, - КТ3102ДМ - синей, - КТ3102ЕМ - белой, - КТ3102ЖМ - две тёмно-красные, - КТ3102ИМ - две жёлтые, - КТ3102КМ - две тёмно-зелёные. Тип прибора указывается в этикетке. Масса транзисторов не более 0,3 г. Тип корпуса: КТ-26 (ТО-92). Климатическое исполнение: «УХЛ2.1» по ГОСТ 15150-69. Категория качества: «ОТК». Технические условия: - приемка «1» аА0.336.122ТУ/03. Минимальный срок сохраняемости не менее 12 лет со дня изготовления. Импортный аналог: BCY57.
Основные технические характеристики транзистора КТ3102ГМ:
- Структура транзистора: n-p-n
- Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора: 250 мВт;
- Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 20 В;
- Uэбо max - Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 5 В;
- Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 200 мА;
- Iкбо - Обратный ток коллектора - ток через коллекторный переход при заданном обратном напряжении коллектор-база и разомкнутом выводе эмиттера: не более 0,015 мкА (50В);
- h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора в режиме малого сигнала для схем с общим эмиттером: 400...1000;
- Ск - Емкость коллекторного перехода: не более 6 пФ;
- Кш - Коэффициент шума транзистора: не более 10 дБ на частоте 1 кГц
- tк - Постоянная времени цепи обратной связи на высокой частоте: не более 100 пс.
